スパッタリングターゲット
超音波深傷によるバッキングプレート接合率の品質保証体制
溶解法による
スパッタリングターゲット
超音波深傷によるバッキングプレート接合率の品質保証体制
溶解法によるスパッタリングターゲット一覧
Auターゲット(丸型)
Ptターゲット(丸型)
Agターゲット(角型)
ターゲット名称 | 主な用途 | 参考画像 | |
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Au-Si | 金シリコン | 全固体電池関連 | ![]() |
V | バナジウム | 水素透過膜 | ![]() |
代表的な規格
対応元素 | Au | Ag | Pt | Pd |
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純度 | 3Nup〜4N | 3Nup〜4N | 3Nup〜4N | 3Nup〜4N |
形状 | 丸型・角型・段付等々各種形状のご相談を承ります | |||
付属品 | 納品時に分析検査報告書を添付いたします |
※合金材料等の製造・その他の場合もご相談を承ります
純貴金属ターゲット以外にも対応
溶解法によるターゲットでは貴金属以外や 貴金属合金にも柔軟にご相談に応じます。
焼結法による
スパッタリングターゲット
加熱加圧成形により酸化物系、化合物系、合金系
ターゲットを提供いたします。
対応寸法はΦ1インチからφ12インチとなります。
焼結法によるスパッタリングターゲット一覧
ターゲット名称 | 主な用途 | 参考画像 | |
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WO3 | 酸化タングステン ※相対密度90%以上 ※導電性あり | 半導体センサー膜 光学膜 光触媒膜 | ![]() |
ZnO | 酸化亜鉛 | 透明導電膜 | ![]() |
SnO2 | 酸化錫 | 透明導電膜 ガスセンサー膜 | ![]() |
WSi2 | タングステンシリサイド | バリア膜 | ![]() |
MoSi2 | モリブデンシリサイド | ゲート電極膜 耐熱膜 | ![]() |
W-Ti | タングステンチタン ※10%Ti標準 | 拡散防止膜 | ![]() |
Ni-Zn-Fe | ニッケル・亜鉛・鉄 | 薄膜磁気ヘッド関連 | ![]() |
Ni-Zn-Fe | Al2O3添加酸化亜鉛 | 透明導電膜 | ![]() |
MoS2 | 二硫化モリブデン | 潤滑膜 | ![]() |